国产欧美日韩综合精品一区二区三区_国产一区a_亚洲精品国产第一区第二区国 _奥雷人体xxxx

中文 EN
首頁(yè)
關(guān)于我們
新品發(fā)布
用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET
用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET 返回
 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 近年來(lái)服務(wù)器電源的功率要求不斷提升，產(chǎn)品體積小型化的趨勢(shì)下，對(duì)散熱的要求帶來(lái)更加嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。揚(yáng)杰科技近日推出采用TSMT8封裝的N+P雙芯片合封MOSFET，簡(jiǎn)化產(chǎn)品電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留了工程師應(yīng)用的靈活性，并可較大限度節(jié)省PCB尺寸面積，適用于內(nèi)部空間狹小的各類散熱風(fēng)扇產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、產(chǎn)品采用PDFN3030-8L（TSMT8） N+P雙芯框架合封的產(chǎn)品，相對(duì)DFN3333(3.3X3.3mm )同類封裝，具有更小的尺寸 (2.8X2.9mm )，更適用于對(duì)于尺寸有極高要求的小型風(fēng)扇；
2、產(chǎn)品具有過(guò)流能力強(qiáng)，熱阻低，更寬范圍的SOA的特點(diǎn)；
3、N MOS與PMOS合封，簡(jiǎn)化電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留工程師應(yīng)用的靈活性；
規(guī)格書(shū)

YJU3724A YJU4606A

相關(guān)新品

SGT N80-85V Power MOSFET

用于PD VBUS的N30V Trench MOSFET

IGBT高頻系列C1模塊

IGBT 50A 1200V單管——工控應(yīng)用

SOD-123FL封裝功率ESD

GBU封裝擴(kuò)充35A-50A大電流系列產(chǎn)品

IGBT低損耗系列

650V Super Junction N-Channel MOSFET

用于光伏微逆的SGT MOSFET 新品

應(yīng)用于面板端口的ESD產(chǎn)品

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀(jì)錄 Cookies 來(lái)優(yōu)化您的使用體驗(yàn)，相關(guān)信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個(gè)提示，便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。