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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復二極管
肖特基二極管
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MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
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快恢復二極管
超高效整流二極管
超快恢復二極管
肖特基二極管
光伏二極管
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汽車電子整流器件
整流二極管快恢復二極管肖特基二極管

保護器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護器
靜電保護二極管
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可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負載開關
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準
開關電源轉換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

IGBT 高性能微溝槽單管產(chǎn)品——光儲充新能源應用

IGBT 高性能微溝槽單管產(chǎn)品——光儲充新能源應用 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、TO-247-3L/TO-247-4L等多種豐富封裝；
2、650V 50A主流產(chǎn)品，針對不同應用提供Si以及SiC混合封裝產(chǎn)品；
3、產(chǎn)品主要用于光儲充新能源應用，采用先進溝槽設計技術，滿足電能轉換系統(tǒng)對功率器件高效率的要求；
4、相關系列產(chǎn)品與市場主流產(chǎn)品完全pin to pin替代應用；
5、采用環(huán)保物料，符合RoHS標準；

產(chǎn)品特點 1、1.6um微溝槽設計，優(yōu)異的產(chǎn)品性能，具備低Vce(sat)及快速開關特性；
2、細分中速S系列及高速H系列，分別對應20-30Khz及30-40Khz的不同應用需求；
3、最高結溫Tjmax=175℃，高可靠性;

規(guī)格書

DGZ50N65CTS2A DGZ50N65CTH2A

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